2026年8月3日
当社従業員による学術論文が、AIP Publishing （米国物理学協会）が出版する「Applied Physics Letters」に掲載されました。
「Applied Physics Letters」は、応用物理分野における権威ある学術誌の一つで、学術論文が同誌に掲載されることは世界中の研究者にとっても大変名誉あることです。研究開発活動は、当社グループの持続的な成長に欠かすことができないものであり、今後も積極的に研究開発投資を行うことで、お客様のニーズにお応えする付加価値の高い技術および製品の開発をすすめてまいります。
「Applied Physics Letters」に掲載された当社従業員による学術論文について
- タイトル
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Order-parameter-mediated stabilization of the ferroelectric orthorhombic phase in HfO2 by oxygen-vacancy-induced internal stress
（酸素欠陥に起因する内部応力によるHfO₂強誘電性斜方晶相の秩序変数を介した安定化）
- 執筆者
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長橋 知也、黒尾 紗文、赤江 尚徳、柄澤 元
- 概要
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HfO₂（酸化ハフニウム）は、次世代の不揮発性メモリーへの応用が期待される材料です。HfO₂がメモリーとして機能するためには、強誘電性を示す特殊な結晶構造（斜方晶相）が形成される必要がありますが、その形成メカニズムは十分には解明されていませんでした。
本研究では、第一原理計算を用いて、酸素欠陥によって生じる内部応力が結晶構造に及ぼす影響を解析しました。その結果、酸素欠陥は斜方晶相を直接安定化するのではなく、別の結晶構造である単斜晶相により強く作用してその安定性を低下させることで、結果として強誘電性を示す斜方晶相の形成を促進することを明らかにしました。
本研究は、酸素空孔や応力の制御によるHfO₂強誘電材料の性能向上に向けた設計指針を示す成果となりました。
- DOI（Digital Object Identifier）
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