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ALD/ALE2026にて招待講演およびポスター発表を実施

2026年5月25日

株式会社KOKUSAI ELECTRIC（代表取締役 社長執行役員：塚田 和徳、本社：東京都千代田区）は、JW Marriott Tampa Water Street（アメリカ合衆国フロリダ州）で6月28日（日）から7月1日（水）の4日間開催される「AVS 26th International Conference on Atomic Layer Deposition」(ALD/ALE2026)にて、招待講演およびポスター発表を実施します。

同学会は、原子層堆積（ALD）および原子層エッチング（ALE）に関する世界最大級・最高峰の国際会議であり、半導体、先端デバイス、ナノテクノロジー分野を支える薄膜形成技術をテーマに、材料科学や装置プロセス技術から応用まで、幅広い最新研究成果が発表されます。第一線で活躍している産学官の研究者や技術者が一堂に会し、基礎から実用化、将来展望までを深く議論できる点が大きな特長です。また、微細化・高機能化が加速する中、次世代のものづくりの方向性を示す場として、世界的に高い注目と影響力を持っています。

当社による招待講演およびポスター発表について

発表種別

日時

講演番号およびテーマ

発表者

招待講演

7月1日（水）
午後1時30分～午後2時（現地時間）

[AM1-WeA-1]
Advanced Batch Atomic Layer Deposition Technology for Future 3D Device（次世代3次元構造デバイス向け先端バッチALD技術）

原田和宏

ポスター発表

6月30日（火）午後5時45分～午後７時（現地時間）

[AS-TuP-3]
Inhibitor Selection for Area-Selective SiO Deposition: Limited Growth on SiO Surfaces and Unrestricted Growth on SiN Surfaces through Theoretical and Experimental Studies（SiO表面での成膜抑制とSiN表面での成膜非抑制を実現する選択SiO成膜のインヒビター選定に関する理論的・実験的研究）

長橋知也、中谷公彦、早稲田崇之、宮田翔馬、濵田啓太郎、高野望、柄澤元、堀池亮太、橋本良知、廣瀬義朗

ALD/ALE2026の概要

会期

2026年6月28日（日）～7月1日（水）

会場

JW Marriott Tampa Water Street（510 Water Street, Tampa, FL 33602, USA）

公式サイト

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