枚葉プラズマ窒化・酸化装置「MARORA®」
概要
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※MARORAは株式会社KOKUSAI ELECTRICの登録商標です。 -
MARORA®（マローラ）は、次世代DRAM、ロジックのゲート絶縁膜形成、フラッシュメモリの絶縁膜形成に最適な装置です。
MARORA®は、独自のプラズマ生成方式（MMT*方式）を用いることにより、効率良く約1eVの低電子温度のプラズマ形成が可能で、プラズマダメージフリーなプラズマ処理を実現しております。*MMT＝Modified Magnetron Typed
- 対応プロセス
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プラズマ窒化
- 絶縁膜窒化
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プラズマ酸化
- 薄膜酸化膜形成
- 選択酸化
- 異方性酸化
特長
- 高スループット従来モデルの最大2倍の生産性を実現
- MMTプラズマ源搭載基板表面におけるプラズマの高均一化とプラズマの低電子温度化（～1eV）を実現
- 広範囲の温度制御可能高温ヒーターを搭載
- 豊富なアプリケーションプラズマ酸化、プラズマ窒化に加えて、メタルを酸化せずにSiを選択的に酸化する「選択酸化」が可能