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高品質成膜・高性能半導体製造装置「TSURUGI-C²®  剱®」

概要

  • 製品イメージ
  • TSURUGI-C²®  剱®は、次世代デバイス、特に3次元(立体構造)デバイスに向けた成膜品質向上の市場ニーズにこたえるため、新反応炉を採用した成膜処理技術向上により、高品質なプロセス提供を可能にした新たなサーマルプロセス装置です。

    対応プロセス
    • 薄膜形成

    ※TSURUGI-C²、剱のロゴは株式会社 KOKUSAI ELECTRICの登録商標です。

特長

  • 高性能ウェーハ反応炉
    • 本構造にてローディング効果を低減し、膜厚均一性を向上
    • 反応ガスの置換効率向上により、成膜処理時間を短縮
  • 低発塵・高速ウェーハ搬送システム
  • 高生産性・省フットプリント化