高品質成膜・高性能半導体製造装置「TSURUGI-C²® 剱®」
概要
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TSURUGI-C²® 剱®は、次世代デバイス、特に3次元(立体構造)デバイスに向けた成膜品質向上の市場ニーズにこたえるため、新反応炉を採用した成膜処理技術向上により、高品質なプロセス提供を可能にした新たなサーマルプロセス装置です。
- 対応プロセス
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- 薄膜形成
※TSURUGI-C²、剱のロゴは株式会社 KOKUSAI ELECTRICの登録商標です。
特長
- 高性能ウェーハ反応炉
- 本構造にてローディング効果を低減し、膜厚均一性を向上
- 反応ガスの置換効率向上により、成膜処理時間を短縮
- 低発塵・高速ウェーハ搬送システム
- 高生産性・省フットプリント化